张召富武汉大学教授,博导。国家青年人才,湖北省创新人才。香港科技大学博士,剑桥大学博士后。2022年入职武汉大学工业科学研究院。张召富教授从事宽禁带半导体界面与器件理性设计研究,集中于宽禁带半导体的缺陷、界面、器件、工艺、封装的多尺度建模仿真,分析其对器件性能影响。已发表SCI期刊论文130余篇,其中第一/通讯作者70余篇;谷歌学术h因子34,引用3900余次。担任InfoMat, J. Mater. Sci. Technol., Rare Metals,《武汉大学学报》等期刊青年编委。