2024年4月9-11日，一年一度化合物半导体行业盛会——2024九峰山论坛暨中国国际化合物半导体产业博览会（简称“JFSC＆CSE”）将于武汉光谷科技会展中心举办。
山东力冠微电子装备有限公司作为参展商，将携新品亮相本届盛会，分享在装备技术方面的新突破及新进展。并邀您相聚博览会，莅临2T32号展台参观交流、洽谈合作。
产品介绍
1.HVPE单晶生长设备（立式/卧式）
用于氮化镓（GaN）单晶生长,以及氧化镓（Ga2O3）、氮化铝（AlN）、磷化铟（InP）外延生长
产品特点：
·基础工艺包
1.氮化镓（GaN）单晶生长尺寸：2英寸
2.单晶生长速率：≥50微米/小时
3.蓝宝石村底外延生长氮化镓（GaN）单晶层厚度：＜200微米
·衬底：2/4/6英寸
·数量：1片/多片
·立式/卧式结构合理可靠，满足客户多种尺寸衬底，多种操作方式需要
·控温精度高，温区稳定性好
·完美可靠的安全保护功能：硬件保护+软件互锁
2.PVT晶体生长设备
本设备主要用于碳化硅（SiC）、氮化铝（AlN）单晶生长
产品特点：
·提供两种工艺包
①外形包：产出6英寸碳化硅（SiC）单晶，外形不开裂
②工艺包：晶型4H
电阻率：0.015~0.025ohm·cm
直径：150.25±0.25mm
厚度：≥10（Figure 2）mm
微管密度：≤3ea/cm²
·温度最高可达2400℃
·加热方式：感应、电阻
·衬底尺寸：4/6/8英寸
3.晶体提拉设备
直拉法晶体生长专用设备，可实现在高压、真空和保护气氛下直拉生长晶体。采用自动称重结构，在保证晶体品质的前提下实现了直拉晶体的自动生长过程。应用于氧化镓单晶生长，SiC单晶、激光单晶等生长。
产品特点：
·高精度的传感器和控制软件
·自动控制晶体外形
·最高温度：2400℃
·晶体尺寸：2-8英寸
值此之际，我们诚邀业界同仁共聚本届盛会，莅临展位现场参观交流、洽谈合作。
关于JFSC&CSE 2024
