SiC、GaN功率电子器件拥有的优异特性，可以支撑新能源汽车、智慧能源、轨道交通、智能制造等新基建优势应用领域产业发展的迫切需求。GaN功率器件朝高功率密度、高频、高集成化方向发展。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。在新能源发电、电动汽车等一些重要领域也展现出其巨大的应用潜力。
4月19-21日，首届中国光谷九峰山论坛在武汉召开，期间，“平行论坛5： 功率电子器件及应用“如期召开。分会上，法国国家科学研究中心WIND带头人、资深科学家Farid MEDJDOUB，北京智慧能源研究院教授级高工杨霏，湖南三安半导体有限责任公司技术总监叶念慈，西安电子科技大学华山领军教授周弘，电子科技大学教授邓小川，上海瞻芯电子科技有限公司副总裁兼CTO叶忠，中国科技大学微电子学院执行院长、教授龙世兵，广东芯聚能半导体有限公司总裁周晓阳，武汉普赛斯仪表有限公司副总经理王承，派恩杰半导体(杭州)有限公司创始人兼CEO黄兴，珠海镓未来科技有限公司CEO兼CTO吴毅锋，忱芯科技(上海)有限公司总经理毛赛君，华中科技大学教授，武汉利之达科技有限公司创始人陈明祥等嘉宾带来精彩报告，深入探讨功率电子器件及应用的研究进展。复旦大学教授、清纯半导体董事长张清纯，国家新能源汽车技术创新中心总师、动力系统业务单元负责人刘朝辉，华中科技大学教授、武汉利之达科技有限公司创始人陈明祥，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师、教授级高级工程师、中车首席技术专家刘国友共同主持。
张清纯 复旦大学教授、清纯半导体董事长
刘朝辉 国家新能源汽车技术创新中心总师、动力系统业务单元负责人
刘国友 株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师、教授级高级工程师、中车首席技术专家
Farid MEDJDOUB 法国国家科学研究中心WIND带头人、资深科学家
《用于电源应用的新型硅上GaN垂直器件》
杨霏 北京智慧能源研究院教授级高工
《高压碳化硅电力电子器件研发进展》
叶念慈 湖南三安半导体有限责任公司技术总监
《全产业链第三代半导体功率器件制造平台》
周弘 西安电子科技大学华山领军教授
《氮化镓与氧化镓功率电子器件研究进展》
邓小川 电子科技大学教授
《高鲁棒性SiC MOSFET器件关键技术挑战与加固技术》
叶忠 上海瞻芯电子科技有限公司副总裁兼CTO
《碳化硅功率器件与新能源汽车创新应用》
龙世兵 中国科技大学微电子学院执行院长、教授
《氧化镓功率器件技术进展》
周晓阳 广东芯聚能半导体有限公司总裁
《碳化硅助力新能源汽车发展》
王承 武汉普赛斯仪表有限公司副总经理
《功率器件静态参数测试影响因素探究》
黄兴 派恩杰半导体(杭州)有限公司创始人兼CEO
《如何提高碳化硅利用率以满足车规需求》
吴毅锋 珠海镓未来科技有限公司CEO兼CTO
《最优高压功率器件的探索》
毛赛君 忱芯科技(上海)有限公司总经理
《碳化硅功率半导体器件精准动静态特性表征与可靠性测试挑战与解决方案》
陈明祥 华中科技大学教授，武汉利之达科技有限公司创始人
《功率半导体器件封装用陶瓷基板技术研发与产业化》
（备注：以上信息未经报告嘉宾逐一确认，如有出入敬请谅解！）