沈波，男，1963年生，江苏扬州市人，北京大学理学部副主任、宽禁带半导体研究中心主任、物理学院长江特聘教授、国家杰出青年基金获得者、基金委创新研究群体带头人，国家973计划项目首席科学家、国家863计划“半导体照明”重点专项总体专家组成员、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员，享受国务院特殊津贴。先后在南京大学、中国科技大学和日本东北大学获得学士、硕士和博士学位。曾任日本东京大学产业技术研究所研究员，东京大学先端科技研究中心、千叶大学电子学与光子学研究中心客座教授、日本产业技术综合研究所访问教授。
1995年迄今一直从事III族氮化物（又称GaN基）宽禁带半导体材料、物理和器件研究，在GaN基量子结构的MOCVD外延生长、强极化/高能带阶跃半导体二维电子气输运性质、 宽禁带半导体缺陷物理、GaN基微波射频器件和功率电子器件、AlGaN基深紫外发光材料和器件等方面取得了在国内外同行中有一定影响的研究成果。先后主持和和作为核心成员参加国家973计划、863计划和自然科学基金重点项目等20多项国家级科研课题，先后与华为、京东方、彩虹集团、广东光大集团和中国电科13所、55所等企业开展了一系列科研合作。迄今发表学术论文300多篇，论文被引用4000多次，获得/申请国家发明专利50多件，在国内外学术会议做大会和分会邀请报告20多次， 多次担任国际学术会议顾问委员会、程序委员会、组织委员会主席和委员，先后获国家技术发明二等奖、国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。部分研究成果实现了产业化应用，并产生了显著的经济和社会效益。